Конденсаторы

С1-К10-7В-Н30-130 пФ +- 20%

С2-К50-6-100 мкФ - 15 В

С3-К50-6-100 мкФ - 15 В

С4-К73-9-100В-0,1 мкФ +- 10% ОЖО.461.087 ТУ

С5-К75-9-100В-0,25 мкФ +- 10% ОЖО.461.087 ТУ

Резисторы МЛТ-0,25 +- 10%

R1 - 560 Ом R7 - 1,8 мОм R13 - 3,6 кОм R19 - 820 кОм

R2 - 200 Ом R8 - 3,3 кОм R14 - 3,6 кОм R20 - 7,5 кОм

R3 - 10 кОм R9 - 1,8 мОм R15 - 5,1 кОм R21 - 2,2 мОм

R4 - 36 кОм R10 - 100 Ом R16 - 4,3 мОм R22 - 5,6 кОм

R5 - 430 Ом R11 - 56 Ом R17 - 75 кОм R23 - 51 Ом

R6 - 75 Ом R12 - 22 кОм R18 - 100 кОм R24 - пров. 10 Ом

Диоды

VD1, VD3-КЦ405г VD2-КС147а VD4-АЛ307в VD5-Д223 VD6-Д331а

Микросхема DD1-К176ЛЕ5 бКО.348.006-01 ТУ

Тиристоры VS1-TC132-40-12 VS2-КУ101А VS3-КУ201Л

Транзисторы VT1, VT4-КЕ3102А

Оптроны U1, U2-АОД1016

Трансформатор Т1-TIIП272-127/220-50В

Кнопка КН-КМ1-1

Приложение Г

(рекомендуемое)


1001 × 815 пикс. Открыть в новом окне

Спецификация к принципиальной электрической схеме таймера опроса датчика

Конденсаторы

C1-К10-7В-H70-0,01 мкФ +- 20%

С2-К73-7В-Н30-6800 пФ +- 20%

C3-KCЩ-500B

С3-К10-7В-Н90-0,068 мкФ +- 10%

Резисторы МЛТ-0,25 +- 10%

R1 - 200 кОм +- 10%

R2 - 200 кОм - 10%

R3 - 100 кОм - 10%

R4 - 11 кОм - 10%

Микросхемы

DD1-К176 ТМ1б КО.348.006-01 ТУ

DD2-К176 ИE5б КО.348.006-01 ТУ

Транзистор

VT1-КТ316б ЖК3.335.200 ТУ

Приложение Д

(обязательное)

Градуировка измерительного комплекса

Градуировку проводят на образцах из трех и более материалов, соответствующих ГОСТ 8.315, в том числе на образцах из пенополистирола плотностью 150 кг/м3.

При градуировке определяют коэффициенты С_Q, b_3, C_R, a_3.

Испытания проводят как указано в разделе 5.

В полученных экспериментальных массивах выделяют области, в которых выполняется условие Х корень n = const (приложение E).

Находят средние значения величин Х корень n = const для двух

__________ __________

образцов (Х корень n)_1 и (X корень n)_2.

Форма поиска

Спецификация к принципиальной электрической схеме таймера опроса датчика

Градуировка измерительного комплекса