Действующий
R4 - 47 кОм R8 - 1,5 мОм R12 - 100 Ом R16 - 300 Ом
Микросхема DD1-К176ЛЕ56КО.348.006-01 ТУ
Транзисторы VT1, VT4-К 176ЛЕ5аАО. 336.053 ТУ
VD1-KЦ405A;.VD2, VD4-Д816б; VD3, VD5, VD9-L310
Спецификация к принципиальной электрической схеме таймера теплового импульса для изделий толщиной менее 15 мм
С1-К10-7В-Н30-130 пФ +- 20%
С4-К73-9-100В-0,1 мкФ +- 10% ОЖО.461.087 ТУ
С5-К75-9-100В-0,25 мкФ +- 10% ОЖО.461.087 ТУ
Резисторы МЛТ-0,25 +- 10%
R1 - 560 Ом R7 - 1,8 мОм R13 - 3,6 кОм R19 - 820 кОм
R2 - 200 Ом R8 - 3,3 кОм R14 - 3,6 кОм R20 - 7,5 кОм
R3 - 10 кОм R9 - 1,8 мОм R15 - 5,1 кОм R21 - 2,2 мОм
R4 - 36 кОм R10 - 100 Ом R16 - 4,3 мОм R22 - 5,6 кОм
R5 - 430 Ом R11 - 56 Ом R17 - 75 кОм R23 - 51 Ом
R6 - 75 Ом R12 - 22 кОм R18 - 100 кОм R24 - пров. 10 Ом
VD1, VD3-КЦ405г VD2-КС147а VD4-АЛ307в VD5-Д223 VD6-Д331а
Микросхема DD1-К176ЛЕ5 бКО.348.006-01 ТУ
Тиристоры VS1-TC132-40-12 VS2-КУ101А VS3-КУ201Л
Транзисторы VT1, VT4-КЕ3102А
Трансформатор Т1-TIIП272-127/220-50В
Спецификация к принципиальной электрической схеме таймера опроса датчика
C1-К10-7В-H70-0,01 мкФ +- 20%
С2-К73-7В-Н30-6800 пФ +- 20%
С3-К10-7В-Н90-0,068 мкФ +- 10%
Резисторы МЛТ-0,25 +- 10%